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長(zhǎng)鑫DRAM芯片低調(diào)開啟商用 市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力幾何?

2020年06月11日 23:11 來(lái)源于 財(cái)新網(wǎng)
可以聽文章啦!
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的DRAM芯片實(shí)現(xiàn)了部分低端市場(chǎng)的替代,但性能和國(guó)際一線原廠相比仍有差距。由于規(guī)模有限,短期尚不會(huì)對(duì)市場(chǎng)格局帶來(lái)沖擊
經(jīng)過(guò)多年摸索,中國(guó)首款自主研發(fā)的DRAM芯片終于投入市場(chǎng)。這些內(nèi)存條產(chǎn)品均采用長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR4)內(nèi)存芯片,頻率以2666Mhz為主,容量為8GB和16GB。圖/IC photo

  【財(cái)新網(wǎng)】(記者 何書靜)經(jīng)過(guò)多年摸索,中國(guó)首款自主研發(fā)的DRAM芯片終于投入市場(chǎng)。5月以來(lái),多款搭載長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM芯片的內(nèi)存條上市,下游合作廠商包括江波龍、光威等。

  這些內(nèi)存條產(chǎn)品均采用長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR4)內(nèi)存芯片,頻率以2666Mhz為主,容量為8GB和16GB。模組廠商江波龍于5月15日宣布,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的顆粒已通過(guò)其EVT完整的顆粒級(jí)測(cè)試,并已推出三款搭載長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)顆粒的內(nèi)存產(chǎn)品。

  自2016年項(xiàng)目啟動(dòng)以來(lái),長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的造芯計(jì)劃就備受關(guān)注。內(nèi)存芯片市場(chǎng)一直被三星、海力士、美光三家海外芯片原廠把控,近年中國(guó)企業(yè)試圖突圍,由合肥市政府出資、芯片設(shè)計(jì)廠商兆易創(chuàng)新( 603986.SH )參與的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)被寄予厚望。2019年9月,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官(CEO)朱一明表示,DDR4芯片已經(jīng)投產(chǎn),將于當(dāng)年年底正式交付。(詳見“中國(guó)首款DRAM芯片投產(chǎn)”)

責(zé)任編輯:覃敏 | 版面編輯:楊勝忠
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