EDA的杭州廣立微,聚焦于芯片成品率提升,其自主研發(fā)的EDA軟件、測(cè)試設(shè)備硬件以及成品率技術(shù)構(gòu)成的整體解決方案,已得到華虹集團(tuán)、三星電子、粵芯半導(dǎo)體、合肥晶合、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、力晶科技等世界一流的集成電路企業(yè)
存儲(chǔ)推出128層QLC3DNAND閃存,兆易創(chuàng)新推出的首款自有品牌4Gb DDR4產(chǎn)品GDQ2BFAA系列正式投入量產(chǎn);2022年11月,長(zhǎng)江存儲(chǔ)232層X(jué)tacking3.0技術(shù)研究成功。 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)
熱評(píng):
中國(guó)兩大國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝上。同年12月,長(zhǎng)江存儲(chǔ)被美國(guó)納入“實(shí)體清單”,設(shè)備、材料等采購(gòu)進(jìn)一步受限。■ 財(cái)新劉沛林對(duì)此文亦有貢獻(xiàn)
的地步。大廠本就希望從今年二季度開(kāi)始漲價(jià)。一旦美光產(chǎn)品在中國(guó)市場(chǎng)銷(xiāo)售受限,就會(huì)給三星、SK海力士等廠商更多談判籌碼。預(yù)計(jì)未來(lái)一個(gè)月,供需雙方都會(huì)拿美光事件來(lái)談判。 相比之下,長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)兩家中國(guó)
。 多名存儲(chǔ)業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,美光事件的最大獲益者是三星、SK海力士?jī)杉翼n國(guó)廠商,兩家均在NAND、DRAM等全線(xiàn)存儲(chǔ)器產(chǎn)品上與美光直接競(jìng)爭(zhēng)。相比之下,長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)兩家中國(guó)廠商分別只做NAND
三星、SK海力士?jī)杉翼n國(guó)廠商,兩家均在NAND、DRAM等全線(xiàn)存儲(chǔ)器產(chǎn)品上與美光直接競(jìng)爭(zhēng)。相比之下,長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)兩家中國(guó)廠商分別只做NAND、DRAM產(chǎn)品,無(wú)法形成產(chǎn)品組合——例如將NAND
受限產(chǎn)品。目前,韓國(guó)存儲(chǔ)廠商三星、海力士的量產(chǎn)NAND顆粒堆疊層數(shù)也已實(shí)現(xiàn)了最高176層,與美光相同;在DRAM市場(chǎng),從應(yīng)用側(cè),三星的產(chǎn)品亦能媲美美光。國(guó)內(nèi)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在快速追趕。多名存儲(chǔ)業(yè)
,韓國(guó)存儲(chǔ)廠商三星、海力士的量產(chǎn)NAND顆粒堆疊層數(shù)也已實(shí)現(xiàn)了最高176層,與美光相同;而在DRAM市場(chǎng),從應(yīng)用側(cè),三星的產(chǎn)品亦能媲美美光。 國(guó)內(nèi)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)也在快速追趕:在NAND領(lǐng)域,長(zhǎng)江
活。 2022年9月,美國(guó)參議院多數(shù)黨領(lǐng)袖查克·舒默等人試圖在2023年《國(guó)防授權(quán)法案》的最終版本中加入一項(xiàng)修正案,要求美國(guó)聯(lián)邦機(jī)構(gòu)及其承包商停止使用中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等中國(guó)企業(yè)生產(chǎn)的芯片
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存儲(chǔ)推出128層QLC3DNAND閃存,兆易創(chuàng)新推出的首款自有品牌4Gb DDR4產(chǎn)品GDQ2BFAA系列正式投入量產(chǎn);2022年11月,長(zhǎng)江存儲(chǔ)232層X(jué)tacking3.0技術(shù)研究成功。 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)
熱評(píng):
中國(guó)兩大國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝上。同年12月,長(zhǎng)江存儲(chǔ)被美國(guó)納入“實(shí)體清單”,設(shè)備、材料等采購(gòu)進(jìn)一步受限。■ 財(cái)新劉沛林對(duì)此文亦有貢獻(xiàn)
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的地步。大廠本就希望從今年二季度開(kāi)始漲價(jià)。一旦美光產(chǎn)品在中國(guó)市場(chǎng)銷(xiāo)售受限,就會(huì)給三星、SK海力士等廠商更多談判籌碼。預(yù)計(jì)未來(lái)一個(gè)月,供需雙方都會(huì)拿美光事件來(lái)談判。 相比之下,長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)兩家中國(guó)
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。 多名存儲(chǔ)業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,美光事件的最大獲益者是三星、SK海力士?jī)杉翼n國(guó)廠商,兩家均在NAND、DRAM等全線(xiàn)存儲(chǔ)器產(chǎn)品上與美光直接競(jìng)爭(zhēng)。相比之下,長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)兩家中國(guó)廠商分別只做NAND
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三星、SK海力士?jī)杉翼n國(guó)廠商,兩家均在NAND、DRAM等全線(xiàn)存儲(chǔ)器產(chǎn)品上與美光直接競(jìng)爭(zhēng)。相比之下,長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)兩家中國(guó)廠商分別只做NAND、DRAM產(chǎn)品,無(wú)法形成產(chǎn)品組合——例如將NAND
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受限產(chǎn)品。目前,韓國(guó)存儲(chǔ)廠商三星、海力士的量產(chǎn)NAND顆粒堆疊層數(shù)也已實(shí)現(xiàn)了最高176層,與美光相同;在DRAM市場(chǎng),從應(yīng)用側(cè),三星的產(chǎn)品亦能媲美美光。國(guó)內(nèi)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在快速追趕。多名存儲(chǔ)業(yè)
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,韓國(guó)存儲(chǔ)廠商三星、海力士的量產(chǎn)NAND顆粒堆疊層數(shù)也已實(shí)現(xiàn)了最高176層,與美光相同;而在DRAM市場(chǎng),從應(yīng)用側(cè),三星的產(chǎn)品亦能媲美美光。 國(guó)內(nèi)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)也在快速追趕:在NAND領(lǐng)域,長(zhǎng)江
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活。 2022年9月,美國(guó)參議院多數(shù)黨領(lǐng)袖查克·舒默等人試圖在2023年《國(guó)防授權(quán)法案》的最終版本中加入一項(xiàng)修正案,要求美國(guó)聯(lián)邦機(jī)構(gòu)及其承包商停止使用中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)等中國(guó)企業(yè)生產(chǎn)的芯片
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