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　　SK海力士啟動全球首個321層QLC 閃存量產(chǎn)

　　SK海力士公司（簡稱“公司”，官網(wǎng)www.skhynix.com）今日宣布，已完成321層2Tb QLC NAND閃存產(chǎn)品的開發(fā)并啟動量產(chǎn)。這一成果標(biāo)志著全球首次實現(xiàn)QLC技術(shù)突破300層，樹立了NAND存儲密度的新標(biāo)桿。公司計劃在完成全球客戶驗證后，于明年上半年推出該產(chǎn)品。為最大化新產(chǎn)品的成本競爭力，SK海力士開發(fā)了2Tb容量的器件，是現(xiàn)有解決方案的兩倍。針對大容量NAND可能出現(xiàn)的性能下降問題，公司將芯片內(nèi)的獨立操作單元——平面的數(shù)量從4個增加到6個。這實現(xiàn)了更強的并行處理能力，并顯著提升了同時讀取性能。