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日美先進(jìn)芯片研究中心落地 日本出資700億日元和企業(yè)共建先進(jìn)芯片廠

文|財新 杜知航
2022年11月11日 22:34
日本政府稱,現(xiàn)在是日本重新進(jìn)入新一代半導(dǎo)體市場的最后機(jī)會
日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省公告,日本將在2022年年內(nèi),學(xué)習(xí)美國的國家半導(dǎo)體科技中心(NSTC),建立日本的最尖端半導(dǎo)體技術(shù)中心(LSTC: Leading-edge Semiconductor Technology Center),進(jìn)行芯片的尖端設(shè)計、尖端設(shè)備和材料的技術(shù)研發(fā)。圖:視覺中國

  【財新網(wǎng)】日本聯(lián)合美國,推進(jìn)先進(jìn)芯片生產(chǎn)的本地化。11月11日,日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省公告,發(fā)布在2020年代的中后期,推動新一代半導(dǎo)體設(shè)計和制造的政策。具體措施即兩方面,聯(lián)合美國建立先進(jìn)制程芯片的研發(fā)中心,同時日本政府與日本企業(yè)共同出資,建立名為“Rapidus”的先進(jìn)制程芯片公司。

  據(jù)公告,日本將分三步“復(fù)活”日本本土的半導(dǎo)體生產(chǎn)。第一步,2020年起,強(qiáng)化物聯(lián)網(wǎng)(IoT)半導(dǎo)體產(chǎn)品組合;第二步,2025年起,加強(qiáng)日美聯(lián)系,從日美聯(lián)合項目中習(xí)得新一代半導(dǎo)體技術(shù);第三步,2030年起,通過強(qiáng)化全球合作,實現(xiàn)光電融合集成技術(shù)等未來科技。

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責(zé)任編輯:屈運栩 | 版面編輯:鮑琦
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