【財新網(wǎng)】2023年11月6日，中國工程院外籍院士、被譽為“閃存之父”的施敏逝世，享年87歲。

　　施敏發(fā)現(xiàn)了浮柵存儲（FGM）效應，制造出了世界上第一個浮動柵非易失性存儲器件。后者成為當今消費電子產(chǎn)品中使用的關(guān)鍵元件之一，也是半導體技術(shù)的重大突破之一。

　　“學半導體的，沒有人不知道他。”一名畢業(yè)于復旦大學微電子學院的半導體工程師這樣形容施敏，“今天我們能用得到的電腦和手機上的一切存儲器，包括熟悉的內(nèi)存、閃存等各類功能，都有他的功勞?！?/P>